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MRF6S9130HSR3

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9130HSR3

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9130HSR3

Package:NI-780S;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 880MHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFE6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

DesignedforN-CDMA,GSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. ?TypicalSingle-CarrierN-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=950mA,Pout=27WattsAvg.,f=880MHz,IS-95CDMA(Pilot,Sync,Paging,Tr

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6S9130HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    19.2dB

  • 功率 - 輸出:

    27W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ NI-780S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6S9130HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 13:30:00