首頁 >MRFE6S9130HSR3>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

MRFE6S9130HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforN-CDMA,GSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.Suitableformulticarrieramplifierapplications. ?TypicalSingle-CarrierN-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=950mA,Pout=27WattsAvg.,f=880MHz,IS-95CDMA(Pilot,Sync,Paging,Tr

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6S9130HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6S9130HSR3

Package：NI-780S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 66V 880MHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9130HSR3

RFPowerFieldEffectTransistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRFE6S9130HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    880MHz

  • 增益：

    19.2dB

  • 功率 - 輸出：

    27W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 66V 880MHZ NI-780S

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價(jià)
FREESCALE
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
 詢價(jià)
Freescale
24+
NI-780S
750
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
Freescale
24+
236
詢價(jià)
FREESCALE
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
Freescale
24+
SMD
5500
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談
 詢價(jià)
FREESCALE
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
NXP
22+
NI780S
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
FSE
22+
N/A
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價(jià)
FSE
22+
原廠封裝
50000
只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢
 詢價(jià)
更多MRFE6S9130HSR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 15:08:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多