首頁>MRFE6S9130HSR3>詳情

MRFE6S9130HSR3 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 FSE

MRFE6S9130HSR3參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MRFE6S9130HSR3品牌：FSE

只做原裝正品,假一罰十,歡迎咨詢

MRFE6S9130HSR3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商FSE/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝原廠封裝/NI-780S的MRFE6S9130HSR3晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    MRFE6S9130HSR3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FREESCALE【飛思卡爾】詳情

  • 廠商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 中文名稱：

    飛思卡爾半導體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    419.22 kb

  • 資料說明：

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRFE6S9130HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    880MHz

  • 增益：

    19.2dB

  • 功率 - 輸出：

    27W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 66V 880MHZ NI-780S

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機：

    18682365538

  • 詢價：
  • 電話：

    18682365538

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

相近型號