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MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,3W,6VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=6Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRFG35003N6AT1

Gallium Arsenide PHEMT

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRFG35003N6AT1

Package：PLD-1.5；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    MRFG35003N6AT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    3.55GHz

  • 增益：

    10dB

  • 功率 - 輸出：

    450mW

  • 封裝/外殼：

    PLD-1.5

  • 供應商器件封裝：

    PLD-1.5

  • 描述：

    FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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PLD1.5
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多MRFG35003N6AT1供應商 更新時間2025-2-24 14:00:00

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