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MRFG35003N6AT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRFG35003N6AT1
廠(chǎng)商型號(hào)

MRFG35003N6AT1

參數(shù)屬性

MRFG35003N6AT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

功能描述

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

文件大小

221.41 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

freescale飛思卡爾

中文名稱(chēng)

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 16:39:00

MRFG35003N6AT1規(guī)格書(shū)詳情

3.5 GHz, 3 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

? Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 180 mA, Pout = 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 10 dB

Drain Efficiency — 27

ACPR @ 5 MHz Offset — -42.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? 3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

Features

? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFG35003N6AT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 輸出:

    450mW

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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