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MRFG35003M6T1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
MRFG35003M6T1 |
| 參數(shù)屬性 | MRFG35003M6T1 封裝/外殼為PLD-1.5；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD |
| 功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
132.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-10-25 17:19:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRFG35003M6T1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
pHEMT FET
- 頻率：
3.55GHz
- 增益：
9dB
- 功率 - 輸出：
3W
- 封裝/外殼：
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLD-1.5
- 描述：
FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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