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MRFE6VP61K25GSR5

RF Power LDMOS Transistors

RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFE6VP61K25GSR5

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25GSR5

Package:NI-1230S-4 GW;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6VP61K25GSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    230MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 輸出:

    1250W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S-4 GW

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S-4 GULL

  • 描述:

    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
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NI-1230S-4 GW
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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專注NXP品牌原裝正品代理分銷,認準水星電子
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更多MRFE6VP61K25GSR5供應(yīng)商 更新時間2025-3-11 19:05:00