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MRFE6VP61K25GSR5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRFE6VP61K25GSR5
廠商型號

MRFE6VP61K25GSR5

參數(shù)屬性

MRFE6VP61K25GSR5 封裝/外殼為NI-1230S-4 GW;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS

功能描述

RF Power LDMOS Transistors

文件大小

972.77 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-4 20:00:00

MRFE6VP61K25GSR5規(guī)格書詳情

RF Power LDMOS Transistors

High Ruggedness N--Channel

Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

These high ruggedness devices are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.

? Typical Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 100 mA

Features

? Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization

? Device can be used Single--Ended or in a Push--Pull Configuration

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Characterized from 30 V to 50 V for Extended Power Range

? Suitable for Linear Application with Appropriate Biasing

? Integrated ESD Protection with Greater Negative Gate--Source Voltage Range

for Improved Class C Operation

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.

R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13--inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRFE6VP61K25GSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    230MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 輸出:

    1250W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S-4 GW

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S-4 GULL

  • 描述:

    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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