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MRFG35003ANT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,3W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35003ANT1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:PLD-1.5 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFG35003ANT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    3.55GHz

  • 增益:

    10.8dB

  • 功率 - 輸出:

    3W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCA
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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更多MRFG35003ANT1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 16:40:00