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MRF6V10010N

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1090MHz,10W,50VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET RFPowertransistordesignedforapplicationsoperatingatfrequenciesbetween960and1400MHz,1to20dutycycle.Thisdeviceissuitableforuseinpulsedapplications. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=50Volts,IDQ=10mA,P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6V10010NR4

Package：PLD-1.5；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MRF6V10010N

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多MRF6V10010N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 10:02:00

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