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MRF6V2010N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
MRF6V2010N |
參數(shù)屬性 | MRF6V2010N 封裝/外殼為TO-272BC;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
封裝外殼 | TO-272BC |
文件大小 |
298.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 10:20:00 |
MRF6V2010N規(guī)格書詳情
10-450 MHz, 10 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
Designed primarily for pulsed wideband large - signal output and driver applications with frequencies up to 450 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.
? Typical CW Performance at 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 35 mA, Pout = 10 Watts
Power Gain — 25 dB
Drain Efficiency — 64
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 10 Watts CW Output Power
Features
? Integrated ESD Protection
? Excellent Thermal Stability
? Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques
? 225°C Capable Plastic Package
? RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRF6V2010NBR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
220MHz
- 增益:
23.9dB
- 功率 - 輸出:
10W
- 封裝/外殼:
TO-272BC
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-272-2
- 描述:
FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
T0272 |
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