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MRF6V2010N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6V2010N
廠商型號(hào)

MRF6V2010N

參數(shù)屬性

MRF6V2010N 封裝/外殼為TO-272BC;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

TO-272BC

文件大小

298.83 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-24 10:20:00

MRF6V2010N規(guī)格書詳情

10-450 MHz, 10 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

Designed primarily for pulsed wideband large - signal output and driver applications with frequencies up to 450 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

? Typical CW Performance at 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 35 mA, Pout = 10 Watts

Power Gain — 25 dB

Drain Efficiency — 64

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 10 Watts CW Output Power

Features

? Integrated ESD Protection

? Excellent Thermal Stability

? Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6V2010NBR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    220MHz

  • 增益:

    23.9dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272-2

  • 描述:

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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