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MRF6VP11KHR6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6VP11KHR6
廠商型號(hào)

MRF6VP11KHR6

參數(shù)屬性

MRF6VP11KHR6 封裝/外殼為NI-1230;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

NI-1230

文件大小

446.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 22:30:00

MRF6VP11KHR6規(guī)格書詳情

1.8--150 MHz, 1000 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

Designed primarily for pulse wideband applications with frequencies up to 150 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

? Typical Pulse Performance at 130 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Avg.), Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20

Power Gain — 26 dB

Drain Efficiency — 71

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? CW Operation Capability with Adequate Cooling

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Designed for Push--Pull Operation

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6VP11KHR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    130MHz

  • 增益:

    26dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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