首頁(yè)>MRF7S19100NBR1>規(guī)格書詳情
MRF7S19100NBR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF7S19100NBR1 |
| 參數(shù)屬性 | MRF7S19100NBR1 封裝/外殼為TO-272BB；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-272BB |
| 文件大小 |
533.37 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 20:42:00 |
| 人工找貨 | MRF7S19100NBR1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF7S19100NBR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.93GHz ~ 1.99GHz
- 增益：
17.5dB
- 功率 - 輸出：
29W
- 封裝/外殼：
TO-272BB
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-272 WB-4
- 描述：
FET RF 65V 1.99GHZ TO272-4
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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