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MRF8P20160H

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF8P20160HR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF8P20160HSR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF8P20160HR5

Package：NI-780-4；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF8P20160HSR3

Package：NI-780S-4L；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF8P20160HSR5

Package：NI-780S-4L；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MRF8P20160H

  • 功能描述：

    DISCRETE RF FET

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標準包裝：

    3,000

  • 晶體管類型：

    N 通道 JFET

  • 頻率：

    -

  • 增益：

    - 電壓 -

  • 測試：

    -

  • 額定電流：

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù)：

    - 電流 -

  • 測試：

    - 功率 -

  • 輸出：

    - 電壓 -

  • 額定：

    25V

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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FREESCALE專營品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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全新進口原裝
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原裝正品現(xiàn)貨
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全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！
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更多MRF8P20160H供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 16:00:00

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