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MRF8P20165WHSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF8P20165WHSR3
廠商型號

MRF8P20165WHSR3

參數(shù)屬性

MRF8P20165WHSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

NI-780S-4L

文件大小

744.54 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 21:27:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8P20165WHSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.98GHz ~ 2.01GHz

  • 增益:

    14.8dB

  • 功率 - 輸出:

    37W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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