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MRF8S19260HSR6_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號：MRF8S19260HSR6品牌：NXP USA Inc.

資料說明：FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

MRF8S19260HSR6是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝SOT-1110B的MRF8S19260HSR6晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    mrf8s19260hsr6

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  • 資料說明：

    FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8S19260HSR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    18.2dB

  • 功率 - 輸出：

    74W

  • 封裝/外殼：

    SOT-1110B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI1230S-8

  • 描述：

    FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

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