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MRF8S19260HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle-Carrie

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8S19260HSR6

Package：SOT-1110B；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    MRF8S19260HSR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.99GHz

  • 增益：

    18.2dB

  • 功率 - 輸出：

    74W

  • 封裝/外殼：

    SOT-1110B

  • 供應商器件封裝：

    NI1230S-8

  • 描述：

    FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8

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更多MRF8S19260HSR6供應商 更新時間2025-2-25 8:22:00

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