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MRF9030LR1

The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

TheRFSub-MicronMOSFETLineRFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1.0GHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF9030LR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF9030LR1

Package:NI-360;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 945MHZ NI-360

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF9030LR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    945MHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-360

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-360

  • 描述:

    FET RF 68V 945MHZ NI-360

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更多MRF9030LR1供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 9:12:00