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MRF8S21100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S21100HSR3

包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:NI-780S 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF8S21100HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    18.3dB

  • 功率 - 輸出:

    24W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI780S

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF8S21100HSR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 10:46:00