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MRF8S21200HSR6中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF8S21200HSR6
廠商型號

MRF8S21200HSR6

參數(shù)屬性

MRF8S21200HSR6 封裝/外殼為NI-1230S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件大小

586.18 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 11:11:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8S21200HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    18.1dB

  • 功率 - 輸出:

    48W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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