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MRF9180分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF9180
廠商型號(hào)

MRF9180

參數(shù)屬性

MRF9180 封裝/外殼為NI-1230;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 880MHZ NI-1230

功能描述

880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

封裝外殼

NI-1230

文件大小

342.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 23:20:00

MRF9180規(guī)格書詳情

The RF Sub–Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large–signal, common–source amplifier

applications in 26 volt base station equipment.

? Typical CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, IDQ= 2  700 mA

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 40 Watts

Power Gain — 17 dB

Efficiency — 26

Adjacent Channel Power –

750 kHz: –45.0 dBc @ 30 kHz BW

1.98 MHz: –60.0 dBc @ 30 kHz BW

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 170 Watts (CW) Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF9180R6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 輸出:

    170W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 65V 880MHZ NI-1230

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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