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MRFE6S9060N

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFE6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

880MHz,14WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapp

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6S9060NR1

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRFE6S9060NR1

Package:TO-270AA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 66V 880MHZ TO270-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S9060N

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MRFE6S9060N

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 60W TO270-2N FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRFE6S9060N供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 16:00:00