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MSAHZ52F120A中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MSAHZ52F120A
廠商型號

MSAHZ52F120A

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

52.35 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 17:08:00

MSAHZ52F120A規(guī)格書詳情

Features

? Rugged polysilicon gate cell structure

? high current handling capability, latch-proof

? Hermetically sealed, surface mount power package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Reverse polarity available upon request: MSAH(G)Z52F120B

? high frequency IGBT, low switching losses

? anti-parallel FREDiode (MSAHZ52F120A only)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MSAHZ52F120A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 52A 3PIN COOLPACK1 - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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