MSB710-RT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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廠家型號：
MSB710-RT1G
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
庫存數(shù)量：
10000
產(chǎn)品封裝：
SOT23
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-26 13:30:00

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原廠料號：MSB710-RT1G品牌：ON

原裝正品現(xiàn)貨

MSB710-RT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝SOT23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MSB710-RT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號：
MSB710-RT1G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
2 頁
文件大?。?/span>
38.52 kb
資料說明：
PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
MSB710-RT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
PNP
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 150mA，10V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SC-59
描述：
TRANS PNP 50V 0.5A SC59

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市宏興瑞科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
朱小姐
手機(jī)：
18923720076
詢價：
電話：
0755-23946805
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05

MSB710-RT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MSB710-RT1G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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