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MSCSM70HM05CAG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MSCSM70HM05CAG
廠商型號(hào)

MSCSM70HM05CAG

參數(shù)屬性

MSCSM70HM05CAG 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

功能描述

Full Bridge SiC Power Module
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

文件大小

1.38549 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 18:26:00

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MSCSM70HM05CAG規(guī)格書(shū)詳情

MSCSM70HM05CAG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的MSCSM70HM05CAG晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說(shuō),F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

Features

The following are key features of the MSCSM70HM05CAG device:

? SiC Schottky Diode

– Zero reverse recovery

– Zero forward recovery

– Temperature independent switching behavior

– Positive temperature coefficient on VF

? SiC Power MOSFET

– Low RDS(on)

– High temperature performance

? Kelvin emitter for easy drive

? Low stray inductance

? AlN substrate for improved thermal performance

? M5 power connectors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MSCSM70HM05CAG

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

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