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MSD30N06

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTB30N06VL

TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB30N06VL

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTB30N06VL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP30N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP30N06E

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

MTP30N06VL

TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.050OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP30N06VL

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

MTP30N06VL

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NP30N06QDK

60V??30A??DualN-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MSD30N06供應商 更新時間2025-1-22 8:10:00