訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>MSD602-RT1G>芯片詳情
MSD602-RT1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:MSD602-RT1品牌:ON
SOT-23
MSD602-RT1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝原裝正品現(xiàn)貨/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的MSD602-RT1晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
MSD602-RT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
600mV @ 30mA,300mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 150mA,10V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-59
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.5A SC59
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機:
18923720076
- 詢價:
- 電話:
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
相近型號
- MSD602-RT1G
- MSD602-RT1G/WR
- MSD601TR1
- MSD601-T1YR
- MSD602-RT2
- MSD601-ST1G
- MSD602-RT2G
- MSD-601ST1G
- MSD6100
- MSD6100G
- MSD601-ST1(YS)
- MSD6100RLRA
- MSD601-ST1
- MSD6100RLRAG
- MSD6102
- MSD601-SST1G
- MSD6148TXA-LF
- MSD601-S
- MSD6148TXA-LF-TB
- MSD6148TXA-LF-TL
- MSD601S
- MSD6148TXA-LF-TQ
- MSD601-RT2
- MSD6148TXA-LF-U4
- MSD6148TXA-LF-Z1-TN
- MSD601-RT1SOT23-YR
- MSD6148TXC-LF-TB
- MSD6148ZX-Z1
- MSD6150
- MSD6178ZX
- MSD601-RT1G/YR
- MSD6178ZX-LF
- MSD601-RT1G
- MSD6178ZX-LF-TN
- MSD6178ZX-LF-TQ
- MSD601-RT1/YR
- MSD6180KBET-XZ
- MSD6180KBQT
- MSD601-RT1(YR)
- MSD6180KBT
- MSD601-RT1
- MSD6180KBT-003D
- MSD601RT1
- MSD6180KBT-XZ
- MSD601-RT
- MSD6180KR-003D
- MSD601-RST1G
- MSD6180KR-003J
- MSD601R/YR
- MSD601-R