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MT3S111(TE85L,F) 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

MT3S111(TE85L,F)參考圖片

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    MT3S111(TE85L,F)

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    73000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 11:06:00

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原廠(chǎng)料號(hào)：MT3S111(TE85L,F)

一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

MT3S111(TE85L,F)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝N/A/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MT3S111(TE85L,F)晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MT3S111(TE85L,F)

  • 規(guī)格書(shū)：

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT3S111(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    11.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    700mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S-Mini

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場(chǎng)C座26J

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