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MT3S111TU,LF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

MT3S111TU,LF參考圖片

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  • 廠家型號：

    MT3S111TU,LF

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    52000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-3-9 11:06:00

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原廠料號：MT3S111TU,LF

一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇

MT3S111TU,LF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝N/A/3-SMD，扁平引線的MT3S111TU,LF晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT3S111TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機：

    19924492152

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強廣場C座26J

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