MT3S111P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MT3S111P |
參數(shù)屬性 | MT3S111P 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
73 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 16:10:00 |
MT3S111P規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
8GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.25dB @ 1GHz
- 增益:
10.5dB
- 功率 - 最大值:
1W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
SOT-89 |
39000 |
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SK |
22+ |
SOT-89 |
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原裝正品 |
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TOSHIBA/東芝 |
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SOT-89 |
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Toshiba Semiconductor and Stor |
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PW-MINI |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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SOT-89 |
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