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MT3S111P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 SK/臺(tái)灣時(shí)科
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
8GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1.25dB @ 1GHz
- 增益:
10.5dB
- 功率 - 最大值:
1W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市瑞卓芯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李小姐/孟先生(只做原裝,可開13%增值稅)
- 手機(jī):
13713856319
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-28892389
- 傳真:
0755-28892389
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)58樓5801室
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