首頁>MT3S111TU,LF>詳情

MT3S111TU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    MT3S111TU

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA(東芝)

  • 庫存數(shù)量：

    20094

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-19 9:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MT3S111TU品牌：TOSHIBA(東芝)

正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持

  • 芯片型號：

    MT3S111TU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    73 頁

  • 文件大?。?/span>

    1582.74 kb

  • 資料說明：

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT3S111TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市正納電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生/楊小姐

  • 手機(jī)：

    15986777949

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23901175

  • 傳真：

    0755-83200684

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318

相近型號