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MT3S113分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MT3S113
廠商型號

MT3S113

參數(shù)屬性

MT3S113 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

絲印標識

R7

封裝外殼

S-MINI / TO-243AA

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 20:00:00

MT3S113規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產品屬性

  • 產品編號:

    MT3S113P(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益:

    10.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.6W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    PW-MINI

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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