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MT3S113TU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 SOT-323

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原廠料號(hào)：MT3S113TU品牌：SOT-323

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MT3S113TU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商SOT-323/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝NA/3-SMD，扁平引線的MT3S113TU晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MT3S113TU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    73 頁

  • 文件大小：

    1582.74 kb

  • 資料說明：

    Bipolar Small-Signal Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT3S113TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    11.2GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    900mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市振宏微科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鄧小姐

  • 手機(jī)：

    15013451992

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83951201

  • 傳真：

    0755-83791997

  • 地址：

    深圳市華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)305棟C02室

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