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MT3S113TU,LF

Package：3-SMD，扁平引線；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

Toshiba Semiconductor and Storage

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MT3S113

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113

VHF-UHFBandLow-Noise,Low-DistortionAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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MT3S113P

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT3S113TU,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    11.2GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益：

    12.5dB

  • 功率 - 最大值：

    900mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UFM

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Toshiba
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原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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Toshiba
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SOT323
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原裝正品現(xiàn)貨
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更多MT3S113TU,LF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 15:00:00

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