MT3S113TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MT3S113TU |
參數(shù)屬性 | MT3S113TU 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | UFM / 3-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
73 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-2 23:00:00 |
MT3S113TU規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MT3S113TU,LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
5.3V
- 頻率 - 躍遷:
11.2GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.45dB @ 1GHz
- 增益:
12.5dB
- 功率 - 最大值:
900mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
3-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
UFM
- 描述:
RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
NA/ |
6159 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
2020+ |
SOT-70 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
23+ |
SOT-323 |
100586 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價 | ||
TOSHIBA |
SOT-70 |
899933 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
SK |
22+ |
SOT-323 |
42300 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Toshiba |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
10+ |
SOT-323 |
2909 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
20+ |
SOT-323 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-70 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |