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MT41J512M4集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

MT41J512M4
廠商型號(hào)

MT41J512M4

參數(shù)屬性

MT41J512M4 封裝/外殼為78-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA

功能描述

DDR3 SDRAM MT41J512M4 ??64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 ??32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 ??16 Meg x 16 x 8 Banks

封裝外殼

78-TFBGA

文件大小

2.90783 Mbytes

頁面數(shù)量

211

生產(chǎn)廠商 Micron Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Micron鎂光

中文名稱

美國(guó)鎂光科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-21 13:01:00

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MT41J512M4規(guī)格書詳情

DDR3 SDRAM

2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Features

? VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V

? 1.5V center-terminated push/pull I/O

? Differential bidirectional data strobe

? 8n-bit prefetch architecture

? Differential clock inputs (CK, CK#)

? 8 internal banks

? Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals

? Programmable CAS READ latency (CL)

? Posted CAS additive latency (AL)

? Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK

? Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])

? Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

? Self refresh mode

? TC of 0°C to 95°C

– 64ms, 8192 cycle refresh at 0°C to 85°C

– 32ms, 8192 cycle refresh at 85°C to 95°C

? Self refresh temperature (SRT)

? Write leveling

? Multipurpose register

? Output driver calibration

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MT41J512M4HX-15E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Gb(512M x 4)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    78-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    78-FBGA(9x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Micron Technology Inc.
21+
60-VFBGA
5280
進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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