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MT41J512M4集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MT41J512M4 |
參數(shù)屬性 | MT41J512M4 封裝/外殼為78-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA |
功能描述 | DDR3 SDRAM MT41J512M4 ??64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 ??32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 ??16 Meg x 16 x 8 Banks |
封裝外殼 | 78-TFBGA |
文件大小 |
2.90783 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
211 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Micron Technology |
企業(yè)簡稱 |
Micron【鎂光】 |
中文名稱 | 美國鎂光科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-21 23:00:00 |
MT41J512M4規(guī)格書詳情
DDR3 SDRAM
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
Features
? VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V
? 1.5V center-terminated push/pull I/O
? Differential bidirectional data strobe
? 8n-bit prefetch architecture
? Differential clock inputs (CK, CK#)
? 8 internal banks
? Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
? Programmable CAS READ latency (CL)
? Posted CAS additive latency (AL)
? Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
? Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
? Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
? Self refresh mode
? TC of 0°C to 95°C
– 64ms, 8192 cycle refresh at 0°C to 85°C
– 32ms, 8192 cycle refresh at 85°C to 95°C
? Self refresh temperature (SRT)
? Write leveling
? Multipurpose register
? Output driver calibration
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MT41J512M4HX-15E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR3
- 存儲容量:
2Gb(512M x 4)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
1.425V ~ 1.575V
- 工作溫度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
78-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
78-FBGA(9x11.5)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
micron(鎂光) |
23+ |
NA/ |
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