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MT48LC32M4A2TG

SYNCHRONOUS DRAM

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT48LC32M4A2TG

SYNCHRONOUS DRAM

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT48LC32M4A2TG-75

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

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MT48LC32M4A2TG-75IT

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

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MT48LC32M4A2TG-75L

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology

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MT48LC32M4A2TG-75LIT

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology

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MT48LC32M4A2TG-7E

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT48LC32M4A2TG-7EIT

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT48LC32M4A2TG-7EL

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT48LC32M4A2TG-7ELIT

SYNCHRONOUS DRAM

GeneralDescription The128MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining134,217,728bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s33,554,432-

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MT48LC32M4A2TG

  • 功能描述：

    IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    256M（8Mx32）

  • 速度：

    143MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    90-VFBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    90-VFBGA（8x13）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    Q2841869

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MT48LC32M4A2TG供應(yīng)商 更新時間2025-3-11 16:12:00

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