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NP83P06PDG

-60V–-83A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.8m?Max.(VGS=-10V,ID=-41.5A) RDS(on)=12m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-41.5A) ?Lowinputcapacitance:Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP83P06PDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.8mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?41.5A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?41.5A) ?Highcurrentrating:ID

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多MT83P06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 11:10:00

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