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MTB1N100E

TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS

TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilit

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTM1N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP1N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP1N100E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTP1N100E

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCmotorcontrols ·LaserDrivers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP1N100E

TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

OM1N100SA

POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

OM1N100ST

POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECPACKAGE

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

T1N100DL

TmaxMoldedCaseCircuitBreakers

ABBabb

ABB集團ABB（中國）有限公司

T1N100TL

TmaxMoldedCaseCircuitBreakers

ABBabb

ABB集團ABB（中國）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MTB1N100E

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
24+
30000
詢價
ON
23+
TO-263
6893
詢價
ON
2018+
TO263
6528
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心
 詢價
ON/安森美
24+
TO263
15000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原裝正品,支持實單
 詢價
ON/安森美
2022+
TO263
57550
詢價
ON
23+
TO-263
12800
公司只有原裝 歡迎來電咨詢。
 詢價
ON/安森美
23+
TO-263
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
ON/安森美
22+
TO-263
87828
詢價
ON
23+
TO-263
197
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多MTB1N100E供應商 更新時間2025-3-11 15:30:00

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