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MTB30P06VT4G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MTB30P06VT4G
廠商型號(hào)

MTB30P06VT4G

功能描述

Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P-Channel D2PAK

文件大小

241.07 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-13 20:00:00

MTB30P06VT4G規(guī)格書詳情

This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the

avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high

speed switching applications in power supplies, converters and power

motor controls, these devices are particularly well suited for bridge

circuits where diode speed and commutating safe operating areas are

critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Features

? Avalanche Energy Specified

? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? MTBV30P06V

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTB30P06VT4G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA/
18500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO263
56000
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
13703
公司只做原裝正品,假一賠十
詢價(jià)
ON
1844+
TO-263
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢價(jià)
ON
2023+
TO-263-3
3577
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
ON
23+
NA
13650
原裝正品,假一罰百!
詢價(jià)
ON/安森美
23+
D2PAK
15017
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
詢價(jià)
ON
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
ON
22+
D2PAK
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)