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MTP10N40E

TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS

N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP10N40E

N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP10N40E

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTW10N40E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW10N40E

TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NTB10N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTB10N40

N??hannelPowerMOSFET

10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTP10N40

N??hannelPowerMOSFET

10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

P10N40HA

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

PHB10N40

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·Switch-modePowerSupplies ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTP10N40E

  • 制造商：

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述：

    - Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON/安森美
21+
NA
2578
只做原裝,假一罰十
 詢價(jià)
ON
24+
N/A
1060
詢價(jià)
ON
24+
TO-220
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
MOTOROLA
22+
220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
ON
2022+
NA
8600
原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢!
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
N/A
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價(jià)
MOTOROLA
23+
220
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA
25630
原裝正品
 詢價(jià)
更多MTP10N40E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 14:01:00

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