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NT2955G

??0V,??2A,P??hannelDPAK

PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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PowerMOSFET

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??0V,??2A,P??hannelDPAK

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NTD2955

-60VP-ChannelMOSFET

Features AvalancheEnergySpecified IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature DesignedforLow?Voltage,High?SpeedSwitchingApplicationsand toWithstandHighEnergyintheAvalancheandCommutationModes RDS(on)150m?(VGS=-10V) VDS(V)=-60V ID=-12A(VGS=-10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

NTD2955

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD2955

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

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更多MTP2955VG供應(yīng)商 更新時間2025-5-9 14:56:00

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