MTP2P50E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MTP2P50E規(guī)格書詳情
FEATURES
· Drain Current -ID= -2.0A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= -500V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= -10V
· Fast-recovery body diode
APPLICATIONS
· Bridge circuits
· Power Stitching
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MTP2P50E
- 功能描述：
MOSFET 500V 2A P-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
TO-220 |
2000 |
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詢價 | ||
ON(安森美) |
2324+ |
TO-220-3 |
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ON/安森美 |
1803+ |
TO220 |
5316 |
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ON |
2020+ |
TO-220 |
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ON |
2016+ |
TO-220AB |
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ON/安森美 |
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TO220 |
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ON |
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TO220 |
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