MTP3055VL中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
MTP3055VL規(guī)格書詳情
TMOS V? Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM
TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density ofour
50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs, TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.
New Features of TMOS V
? On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
? Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
? Avalanche Energy Specified
? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MTP3055VL
- 功能描述：
MOSFET 60V Single N-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-220 |
8357 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
TO-263 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
hmsemi |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
SMD |
1600 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2410+ |
80000 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價(jià) | |||
19+20+ |
TO-220 |
58600 |
全新原裝房間現(xiàn)貨 可長期供貨 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
24+ |
N/A |
62000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
