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MTP30P06	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30P06	文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
RFP30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	Intersil Intersil Corporation	Intersil
SF30P06C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
SPD30P06	文件：448.59 Kbytes Page：9 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature ProductSummary RDS(on)=75m VDS(V)=-60V ID=-30A(VGS=-10V) (VGS=-10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
SPD30P06	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SPD30P06P	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS?Power-TransistorFeaturesEnhancementmodeAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06P	文件：112.17 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06P	文件：308.62 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPD30P06PG	文件：557.33 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS?Power-TransistorFeaturesEnhancementmodeAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPD30P06PG	文件：1.0041 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPD30P06PG	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SPU30P06P	文件：304.73 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTP30P06
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	MTP30P06	MOT	06+	TO-220	3000	原裝	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	MTP30P06	ON	19+	TO-220	86191	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	MTP30P06	ON	23+	TO-220	15000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	MTP30P06	ON	1950+	TO220	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MTP30P06	FUJITSU/富士通	23+	TO-220AB	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	MTP30P06	ON	24+	TO-220	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
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更多MTP30P06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 9:16:00

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