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MTP3506W

Glass Passivated Triple-Phase Bridge Rectifier

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NMF3506

MiniBuckConverterforRFPowerAmplifiers

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NSA3506A

TemperatureCompensatedCrystalOscillator

NDKNIHON DEMPA KOGYO

金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會社公司

NSA3506B

TemperatureCompensatedCrystalOscillator

NDKNIHON DEMPA KOGYO

金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會社公司

NSA3506C

TemperatureCompensatedCrystalOscillator

NDKNIHON DEMPA KOGYO

金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會社公司

NSA3506D

TemperatureCompensatedCrystalOscillator

NDKNIHON DEMPA KOGYO

金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會社公司

P3506DD

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

P3506DT

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

P3506ED

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ED

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ES

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ES

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-41A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ET

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ETF

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ETF

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PB3506

EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PB3506

EnhancedPowerBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PB3506

EnhancedisoCink??BridgeRectifiers

FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) ?Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package ?Superiorthermalconductivity ?Glasspassivatedchipjunction ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompli

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

PB3506

BridgeRectifiers

Features ULrecognition,file#￡230084 Glasspassivatedchipjunction Thinsinglein-linepackage Highsurgecurrentcapability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

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MOT
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CET/華瑞
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ON/安森美
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更多MTP3506W供應商 更新時間2025-1-10 16:00:00

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