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MTP60N06HD	文件：217.15 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP60N06HD	文件：979.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTP60N06HD	文件：229.27 Kbytes Page：8 Pages	N??hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP60N06MLK	文件：545.25 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：544.69 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06PLK	文件：529.47 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06VDK	文件：442.27 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N06VDK	文件：545.85 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP60N06VLK	文件：446.76 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NTB60N06	文件：216.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET–Power,N-Channel,D2PAK60V,60A Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable?NVB60N06 ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?PowerSupplies ?C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06	文件：345 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB60N06	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06G	文件：1.77288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTB60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB60N06L	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB60N06L	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN??hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MTP60N06HD
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	MTP60N06HD	ON	19+	TO-220	9187		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MTP60N06HD	ONS	24+		80		詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	MTP60N06HD	MOT	06+	TO-220	5000	自己公司全新庫存絕對(duì)有貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTP60N06HD	ON	23+	TO-220	6893		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	MTP60N06HD	ON	17+	TO-220	6200		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	MTP60N06HD	ON	24+	TO-220	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	MTP60N06HD	ON	23+	TO-220	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	MTP60N06HD	O	2020+	TO-220A	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	MTP60N06HD	VBsemi(臺(tái)灣微碧)	2112+	TO220AB	105000	50個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	MTP60N06HD	ON(安森美)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價(jià)

更多MTP60N06HD供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 16:04:00

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