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MTP8N10E

TMOS POWER FETs 8AMPERES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

8N10P

8Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司

MTP8N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP8N10

TMOSPOWERFETs8AMPERES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

PJD8N10

100VN-ChannelMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂股份有限公司

SSG8N10

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSG8N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses ?100RgTested ?100AvalancheTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STD8N10L

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STD8N10L

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.25? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPEARTINGTEMPERATURE ■APPLICATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STRH8N10

Rad-HardN-channel100V,6APowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TF8N10

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description The8N10SOT-89usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDSSRDS(ON)@10V(typ)ID 100V123mΩ8A ●HighdensitycelldesignforultralowRdson ●Fullycha

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司

TF8N10G

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description The8N10GSOT-89usesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDSSRDS(ON)@10V(typ)ID 100V120mΩ8A ●HighdensitycelldesignforultralowRdson ●Fullych

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司

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更多MTP8N10E供應商 更新時間2025-1-3 16:00:00

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