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MTY100N10E中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTY100N10E
廠商型號

MTY100N10E
功能描述

TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM
文件大小

216.62 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola【摩托羅拉】

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 17:08:00

MTY100N10E規(guī)格書詳情

TMOS E-FET? Power Field Effect transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, PWM motor controls, and other inductive loads. The avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

? Avalanche Energy Specified

? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    MTY100N10E

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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